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TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线的敏感元件免受ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压而设计。独特的设计结合了额定,低电容转向二极管,和TVS二极管在一个单一的封装。该RClamp3374N设计用于更换多达两个组件的董事会级GbE保护。每个装置被设计来保护两个线对。这是通过在设备上路由跟踪来完成的。以这种方式连接时,设备可以承受高水平的冲击电流(40,8/20μs),同时保持低加载电容的不到5 pF。高过载能力意味着它可以用于高威胁环境应用,如千兆以太网、电信线路,和LVDS接口。RClamp3374N采用专有的工艺技术。EPD工艺在硅雪崩二极管工艺上提供了较低的对峙电压,显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3 V的真实工作电压,提供更好的保护。RClamp3374N采用10引脚SLP3020N10封装。其尺寸为3.0毫米x2.0毫米x0.60毫米。铅是用无铅NiPdAu完成的。
特性
内部带有TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 (ESD)±30 kV(空气),±30 kV(接触) IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5 / 50 ns)
IEC 61000-4-5(闪电)40 A(8/20μs)
保护多达8行
高速接口的保护
低电压钳位
低工作电压:3.3 V
固态硅雪崩技术
应用
10 / 100 / 1000以太网 汽车 中央办公设备 LVDS接口 MagJacks /集成磁 笔记本/台式机/服务器