IGBT的主要参数：集电极电流ICM：表征IGBT的电流容量，分为直流条件下的IC和1ms脉冲条件下的ICP。集电极-发射极电压UCES：表征IGBT集电极-发射极的耐压能力。目前IGBT耐压等级有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。栅极-发射极击穿电压UGEM：表征IGBT栅极-发射极之间能承受的电压，其值一般为±20V。栅极-发射极开启电压UGE（th）：指IGBT器件在一定的集电极-发射极电压UCE下，流过一定的集电极电流IC时的最小开栅电压。当栅源电压等于开启电压UGE（th）时，IGBT开始导通。输入电容cIES：指IGBT在一定的集电极-发射极电压UCE和栅极-发射极电压UGE=0下，栅极-发射极之间的电容，表征栅极驱动瞬态电流特征。

上海乙幸科技有限公司主营的业务有：电力电子元器件，变频器配件及各品牌熔断器元器件 主营：英飞凌，三菱，富士，三社，西门子，西门康，IXYS，IR，ABB，WESTCODE,DYNEX等系列IGBT，IPM，PIM，GTR，可控硅，晶闸管，整流桥，二极管等功率模块；CONCEPT驱动,EPCOS电解电容及各类熔断器！
变频器部主营：ABB变频器主控板，电源板，驱动板，各系列快熔，面板，延长电缆等变频器配件！