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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| FDB3632 场效应管 N/A 阴极接入电阻 阳极电压 频率响应 品牌 | ON | ||
| 封装 | N/A | ||
| 批号 | 18 | ||
| 数量 | 1519 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 80 A | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 175 C | ||
| Pd-功率耗散 | 310 W | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 4.83 mm | ||
| 长度 | 10.67 mm | ||
| 系列 | FDB3632 | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 宽度 | 9.65 mm | ||
| 下降时间 | 46 ns | ||
| 上升时间 | 39 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | ||
| 零件号别名 | FDB3632_NL | ||
| 单位重量 | 1.312 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FDB3632 | ||
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